Descripcion

UNIDAD EN ESTADO SOLIDO SAMSUNG 990 PRO 2TB M.2 2280, PCIE GEN 4.0 X4, NVME 2.0, VELOCIDAD DE LECTURA SECUENCIAL DE HASTA 7450 MB/S, VELOCIDAD DE ESCRITURA SECUENCIAL DE HASTA 6900 MB/S. TECNOLOGIA V-NAND 3-BIT MLC

CARACTERISTICAS :
MARCA	SAMSUNG
MODELO	990 PRO
NUMERO DE PARTE	MZ-V9P2T0B/AM
CAPACIDAD	2 TB
INTERFAZ	2280 PCIE 4.0X4 NVME
VELOCIDAD DE LECTURA	7450 MB/S
VELOCIDAD DE ESCRITURA	6900 MB/S
FORMATO	M.2 2280
TIPO DE CHIP	TIPO CHIP	V-NAND FLASH MEMORY
DIMENSIONES DEL PRODUCTO	(ANC X ALT X PROF): 8.00 X 2.20 X 0.23 CM
PESO	9.0 GR
CONDICIONES DE OPERACION	TEMPERATURA	0 ~ 70° C